【摘 要】
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该论文主要对使用脉冲激光沉积方法在SrTiO基片上外延YBaCuO薄膜的生长机理进行了研究.该论文所有实验设计中思路明确为:调节表面温度和粒子的供给率,研究薄膜生长行为的变化
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该论文主要对使用脉冲激光沉积方法在SrTiO<,3>基片上外延YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>薄膜的生长机理进行了研究.该论文所有实验设计中思路明确为:调节表面温度和粒子的供给率,研究薄膜生长行为的变化.结果收到很好效果.该论文重要研究了YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>薄膜在斜切SrTiO<,3>单晶基片上的外延机理:包括斜切基片的表面预处理工艺,PLD方法中实现YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>/SrTiO<,3>体系step-flow生长的方法.其中围绕这种step-flow生长研究了:其生长初期的颗粒消除方法、形貌演变的各向异性与表面扩散的各向异性之间的关系,step-flow生长中表面台阶的"debunching"机理和基片斜切角度对YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>薄膜超导电性的影响等问题.在取向生长规律的研究中,发现YBa<,2>Cu<,3>O<,7-δ>薄膜的外延取向生长规律除与表面温度有关外,还跟表面的粒子供给率和基底表面的原始状况有密切联系.研究人员通过对表面动力学条件的讨论,解释了薄膜的取向生长与表面温度、粒子供给率和基片表面状况之间的关系.另外还发现了粒子供给率较低时在温度高于c-axis取向生长温区时出现较纯的a-axis取向生长的现象,指出该现象与相对高温下c-axis取向成核困难有关.
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