第三代半导体碳化硅(SiC)具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子迁移率和较高的热导率等特性,广泛应用于制造高频、大功率、耐高温器件和集成电路。但由于SiC表面存在悬挂键、C、O污染物、缺陷、原子排列不规则等导致表面存在很高的表面态,对器件的性能产生很大影响,因此,开发新的晶圆清洗技术,获得干净的晶圆表面,作为半导体工艺的第一步就显得尤为重要。本文对等离子体晶圆清洗技术进行了研究。其中,等离子体的产生使用电子回旋共振微波等离子体发生系统,以高纯氢气(99.99%)和高纯氮气(99.99%)作为等离子体的氢源和氮源。将RCA清洗后的SiC晶圆分别进行低温氢等离子体与氮氢等离子体清洗,探索最佳工艺参数,包括清洗功率、温度、时间及气体流量；采用反射式高能电子衍射(RHEED)对表面结构进行实时监控。清洗后的样品利用X射线光电子能谱(XPS)对其表面进行分析。通过分析发现,低温(400℃)氢等离子体清洗3分钟时,SiC表面呈现平整的非重构面,表面碳污染物基本被消除,表面氧含量明显降低,并有三个小时的抗氧化性；低温(400℃)氮氢等离子体清洗8分钟时,获得SiC最佳表面结构,对C、O也有很好的去除效果。而在氢等离子体中掺入少量氮等离子体后,对清洗时间不再敏感,这样可以更好地控制清洗过程。研究结果表明,采用氢及氮氢等离子体清洗工艺可以有效地去除表面碳污染和钝化SiC表面缺陷,在表面形成稳定的Si-H键和Si-N键,从而饱和SiC表面的悬挂键,减少表面态。并且氢等离子体清洗表面还具有一定的抗氧化性,这对于保障半导体器件性能具有重要意义。