从0.18μm技术节点开始,半导体制造工艺中便广泛采用了“亚波长光刻”技术。在亚波长光刻下,由于光刻和掩模制造过程中的光的衍射及其他物理、化学现象,光刻后硅片表面成像将产生明显的畸变。版图图形转移过程中的失真,将会影响到产品的性能参数,降低集成电路的成品率。为了消除这些负面的影响,半导体业界提出并广泛采用分辨率增强技术(RET)作为应对。RET的采用能够在一定程度上解决亚波长光刻中的失真问题,而相关EDA算法工具的开发应用是解决问题的关键所在。 无论何种分辨率增强技术,都需要有快速、精确、有效的光刻系统模型和相应的算法的支持。掩模补偿技术是目前分辨增强技术的主要形式,利用光刻系统模型,可以预测实际光刻条件下掩模在硅片表面所成的图像,从而做出正确的掩模预补偿。 本文主要围绕光刻系统模型的结构和相关算法以及具体实现等问题展开。本文介绍了集成电路制造和光刻工艺的基本流程及相关理论。针对光刻模型的光学成像系统,本文介绍了基本的基于Hopkins公式的曝光系统模型以及Hopkins的近似算法,即所谓的基于特征函数的SOCS算法。实现了光刻仿真工具Litholab中用于建立掩模图形模型的CMask部分和用于光强计算的CInten部分,并提出了几种用于提高SOCS算法精度的优化方案。