论文部分内容阅读
In_2O_3半导体拥有透光率高、电阻率小、催化活性高等独特性质,在众多领域中有着广泛的应用。作为光电化学(PEC)分解水的材料,虽然In_2O_3的能带边缘位置跨越水的氧化和还原电位,完全满足水被直接分解的带隙要求,但由于自身的直接带隙较宽(3.55~3.75 eV),对可见光的吸收能力差,因而严重制约了其在PEC分解水的应用。众所周知,纳米材料的性质非常依赖其形貌和尺寸。因此,制备出可控形貌和尺寸的纳米结构的In_2O_3就显得极为重要。超薄二维纳米材料拥有比表面积大、电子结构独特以及载流子迁移