新量子基态是近年来凝聚态领域的研究热点。人们已经认识到,在弱相互作用的电子系统中自旋-轨道耦合可以引起非平庸的能带拓扑结构,如拓扑绝缘体和拓扑半金属;然而,在强相互作用的电子系统中该自旋-轨道耦合作用还没有被完全理解。因此,同时具有强自旋轨道耦合和强电子关联的材料体系为理解这种效应提供可能,这些体系主要包括4d或5d过渡金属元素,如铱氧化物或铱酸盐。本论文中,我们主要利用扫描隧道显微镜/谱对两种铱氧化物材料进行了系统性的研究,其中包括Ga掺杂的Sr2IrO4和具有蜂窝结构的Na2IrO3。具体工作如下:1.Ga掺杂强关联铱氧化物Sr2IrO4的导电通路研究Ga（5%）掺杂的Sr2IrO4单晶在解理后的表面显示出明显的不均匀性。通过实验进一步证实了表面不均匀性是由于Ga掺杂引起空间局域态密度的变化造成的;穿过掺杂区的微分电导谱显示了一个从U型能隙到V型能隙的转变,即绝缘态到金属态的转变。最后,在空间分辨的平面微分电导图中可以清晰地观察到样品表面的导电通路。2.强关联铱氧化物Na2IrO3的晶体结构和zigzag型Ir-O-Ir键性质研究液氮温度下Na2IrO3单晶的能隙约为420 me V,证实了Na2IrO3为Jeff=1/2的莫特绝缘体,而非Slater绝缘体。对样品进行热退火处理发现不仅可以对样品表面Na原子的含量进行调控,同时也能改变其能隙的大小。最后利用氧原子修饰的针尖可以得到超高分辨率的形貌图。在超高分辨率的形貌图中观察到了各向异性的锯齿形Ir-O-Ir键,同时我们得出zigzag形Ir-O-Ir键与体系的zigzag反铁磁序有关。