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目的：探讨电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层即早基因c-fos表达的影响，进一步验证电针抗脑缺血损伤的机理与c-fos基因的关系。方法：采用线栓法制备大鼠大脑中动脉闭塞模型(MCAO)，随机分为假手术组，90min脑缺血再灌注1h，3h，9h组，90min脑缺血再灌注1h，3h，9h加电针组。经免疫组化(SABC法)、TTC染色、神经功能缺陷评分，观察大鼠缺血侧大脑皮层C-FOS蛋白表达阳性细胞数，脑梗塞体积及神经功能缺陷评分的变化。结果：脑缺血再灌注1h，3h，9h电针组较对照组C-FOS阳性细胞数多，脑梗塞体积小，神经功能缺陷评分低，且具有显著性差异(P＜0.01)。结论：电针可以提高局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑皮层c-fos基因的表达，可能是电针抗脑缺血损伤的机理之一。