本文以SnO2透明导电膜为研究对象，为了提高薄膜的电导率，可以进行适当的掺杂，现在一般选用F或者Sb作为掺杂。文中对于两种掺杂的二氧化锡透明导电膜进行了研究，采用了超声雾化喷涂（USP）化学汽相沉积（CVD）工艺。对于SnO2:F薄膜选用NH4F和HF酸掺杂。对于SnO2:Sb透明导电膜，采用SbCl3作为掺杂剂。 对于SnO2:F透明导电膜，对薄膜的沉积工艺进行了研究，探索出最佳的工艺条件，譬如：温度，源溶液中不同成分得最佳配比。沉积出方块电阻低达5欧/□左右的高透过率透明导电薄膜，其可见光平均透过率可以达到85％。分析了HF酸和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质及表面形貌进行了对比和分析。 以显微镜载玻片为衬底，采用USP-CVD工艺制备出SnO2:Sb薄膜。对衬底温度，电学性质进行了研究，得出制备较低方块电阻的透明导电膜的最佳温度和掺杂浓度。通过XRD分析，薄膜满足SnO2的金红石结构，具有择优生长的特点。通过测量薄膜的光学透过率可以看出，随着Sb掺杂浓度的提高，薄膜的透过率降低。同时还对不同掺杂浓度下的折射率、吸收系数、消光系数和光学带隙进行了研究。