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微放电效应,又称“二次电子倍增效应”,是一种发生在部件表面的真空谐振放电现象。部件表面的二次电子发射是导致微放电击穿的关键因素。目前降低部件表面二次电子发射系数(SEY)的常用方法是在部件表面构筑一定的粗糙结构。基于上述背景,本研究提出在镀银铝合金样片表面分别利用Zn O纳米阵列和自组装的PS微球作模板来构筑银膜陷阱结构,以期在不破坏部件自身结构以及不妨害部件使用性能的基础上,利用所构筑的银膜陷阱结构来捕获、吸收产生的二次电子,最终达到降低部件表面二次电子发射并有效抑制微放电效应的目的。(1)通过晶种诱导法在镀银铝合金样片表面制备Zn O纳米阵列。通过扫描电镜(SEM)对Zn O纳米阵列的形貌进行表征,通过X射线衍射(XRD)和能谱分析(EDS)对纳米Zn O的结构和组成进行表征。结果表明,通过调节反应条件,可实现Zn O纳米阵列密度的有效控制,且所制备的Zn O纳米阵列沿(002)面择优取向,Zn与O的元素比接近1:1。利用Zn O纳米阵列作模板,通过电化学沉积法构筑银膜,并使用0.001mol/L的稀盐酸去除Zn O模板。通过SEM对构筑的银膜及银膜陷阱结构的形貌进行表征,通过XRD、EDS及透射电镜(TEM)对其结构和组成进行表征,通过SEY检测对所构筑的银膜陷阱结构的二次电子发射特性进行考察。结果表明,基于Zn O纳米阵列成功构筑了银膜陷阱结构,镀银主要沿(111)面择优取向,且经过工艺优化,最终得到的银膜陷阱结构的SEY小于1.0,表现出良好的SEY抑制特性。(2)通过对PS微球自组装方式的考察,选择蒸发沉积法中的单基片法在镀银铝合金样片表面进行PS微球自组装。通过SEM对PS微球自组装的形貌进行表征。结果表明,通过实验条件调节可成功实现PS微球自组装层数的有效控制。利用自组装的PS微球作模板,通过电化学沉积构筑银膜,并使用四氢呋喃去除PS微球模板,实现银膜陷阱结构的构筑。通过SEM对构筑的银膜及银膜陷阱结构进行形貌表征;通过SEY检测对所构筑的银膜陷阱结构的二次电子发射性能进行考察。结果表明,基于PS微球模板未构筑出理想的腔状银膜陷阱结构,样品表面的SEY依然较大(大于1.6),后期需对银膜的构筑工艺进行进一步优化。