【摘 要】
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该文利用表面-本征层-重掺杂层(s-i-n)结构,用光调制反射谱观察到了大量的Franz-Keldysh振荡(FKO),精确地测量出了本征层地电场,从而首次精确地研究了GaAs表面硫钝化前后的表
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该文利用表面-本征层-重掺杂层(s-i-n<+>)结构,用光调制反射谱观察到了大量的Franz-Keldysh振荡(FKO),精确地测量出了本征层地电场,从而首次精确地研究了GaAs表面硫钝化前后的表面费米能级,估计了表面态密度的变化.作者用了一系列的硫化物对GaAs表面进行钝化处理,发现了钝化对光反射谱影响规律,钝化形成了Ga-S成分,这种成分是GaAs的一个理想的钝化层.实验结果表明,由于费米能级向价带移动而影响了电场的变化,用Na<,2>S、S<,2>Cl<,2>、CH<,3>CHNH<,2>钝化GaAs表面,费米能级分别移动0.05eV、0.10eV和0.11eV.并且,作者得出结论,GaAs的表面复便率和表面态密度因为硫化而减小了,因此费米能级不但钉扎减弱了,而且改变了钉扎的位置.该文作者认为,Na<,2>S钝化GaAs表面后还含有氧,但是用CH<,3>CSNH<,2>进行钝化能形成比Na<,2>S和S<,2>Cl<,2>钝化更密的Ga和As的硫化层.再者,由于钝化的GaAs表面暴露在空气中后,Ga和As的硫化层会重新被氧化,所以一段时间后电场又减小了.
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