【摘 要】
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在本论文工作中,我们分别采用脉冲激光沉积技术(PLD)和化学气相沉积技术(CVD)在氧化物基片上制备了MgB2薄膜,研究了MgB2薄膜的横向光电性质。本论文的主要内容和结论如下:
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在本论文工作中,我们分别采用脉冲激光沉积技术(PLD)和化学气相沉积技术(CVD)在氧化物基片上制备了MgB2薄膜,研究了MgB2薄膜的横向光电性质。本论文的主要内容和结论如下:
1.采用PLD异位退火技术在c-AL2O3单晶基底和MgO(Ⅲ)基底上制备出了c轴取向的MgB2超导薄膜。对薄膜进行了表征测试,当薄膜与紫外激光相互作用时,发现有激光诱导光生伏特信号。
2.利用CVD技术在MgO(Ⅲ)单晶基片上制备了表面光滑的MgB2超导薄膜,通过对其进行表征测试发现薄膜富含无定形硼,同时研究了薄膜的横向光电特性。
3.利用248nm的脉冲激光对样品进行照射,发现无论是CVD方法还是PLD方法制备的二硼化镁薄膜,均有很好的光生伏特效应。实验发现光生伏特信号随着光照位置的变化呈现出某种规律性,对这种规律进行了描述,并对这种现象进行了合理的解释。这种性质可能使二硼化镁薄膜在制备光位置探测器方面表现优异。
4.当用248nm的脉冲激光从背面照射CVD制备的MgB2/MgO薄膜时,发现了上升沿只有2.4ns的超快光电信号。
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