该文利用同步辐射角分辨光电子能谱,结合俄歇电子谱和低能电子衍射、研究了分子束外延生长的Co／Cu（111）薄膜的生长和退火过程中表面和界面的原子和电子结构变化,得到一些有意义的如下结果：（1）利用Cu、Co俄歇峰强度比的变化和Cu （111）表面布里渊区Γ<->点表面态的强度随Co膜覆盖度的变化,确定生长初始阶段Co膜的生长模式为二层岛;利用低能电子衍射图象,确定Co膜在两单层内延续衬底FCC形式生长.（2）通过测量Co膜在Cu（111）表面不同覆盖度下的能带结构,发现在一单层时Co膜的明显的峰包随垂直表面动量K,的变化己出现能量的位移,体现三维特征;首次发现在两单层内随覆盖度的增加, Co膜的3d能带出现调整.（3）发现随着在Cu（111）面上的Co膜厚度的增加, Cu的s-d<,z><,2>杂化带能级位移相应增大,证实界面问发生了互混,通过研究Cu、 Co俄歇峰和Cu（111）表面布里渊区Γ<->点表面态的强度随温度变化的关系,确定退火过程中存在表面扩散,而非通过界面的体扩散.