随着日常生活中电子产品应用的普及以及半导体分立器件产业的高速发展,使得恒流源面临着性能更精确、更稳定的挑战。作为硅恒流器件中最具典型的代表之一,恒流二极管具有恒流性能好,开启电压低,高击穿电压和高稳定性等电学优点而且价格便宜,使用简单灵活,在各种恒流源、稳压源和保护电路中都有着重要的应用。本文设计了一个基于JFET的简单结构的恒流二极管,在设计中首先确定了其在半导体工艺上的制造流程和方法。对恒流二极管关键参数进行仿真分析,进一步了解关键参数对器件电学性能的影响:仿真结果显示沟道浓度增大,器件恒定电流值增大,开启电压也增大,器件击穿电压呈衰减的趋势;沟道长度增大,导致器件恒流值变小,开启电压与击穿电压基本保持不变;沟道厚度增大主要使得器件的开启电压增大,恒流值增大等。本论文设计得到了一个开启电压为3.7V,击穿电压为114V,恒流值为40mA,温度系数为-0.20%/K,动态阻抗为69 k?的恒流二极管器件。本文对恒流二极管器件理论和仿真分析结果与工厂流片结果基本一致,对器件的实测结果表明利用工艺仿真软件对半导体器件进行实验分析具有现实的指导意义。