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硼掺杂金刚石(Boron-doped Diamond,简称:BDD)具有较低的电阻率、较强的抗辐射能力、稳定的热性能及化学性能等特点,作为一种宽禁带半导体材料(禁带宽度为5.5eV)可用作特殊衬底材料。氧化锌(Zinc Oxide,简称:ZnO)的激子束缚能达到60meV,在室温下禁带宽度为3.37eV,是一种优异的直接带隙宽禁带半导体材料。由于其优良的性能及丰富的储量,ZnO在半导体器件的制备和研究中受到广泛关注。基于BDD和ZnO的特性,制备出BDD/ZnO异质结构可以拓展以宽禁带半导体材料为基