【摘 要】
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该文全面概述了常见的各种晶体生长方法,其中对浮区区熔法的理论、方法与应用作了详细介绍.在分析目前常规方法生长某些氧化物晶体时碰到的困难和问题的基础上,提出金属片加
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该文全面概述了常见的各种晶体生长方法,其中对浮区区熔法的理论、方法与应用作了详细介绍.在分析目前常规方法生长某些氧化物晶体时碰到的困难和问题的基础上,提出金属片加热区熔法.建立了起了分别在空气和真空中工作的两套金属片加热区熔法生长装置,对金属片加热区烷法的晶体生长条件及其在几个氧化物体系中的实际应用进行了比较系统和深入的研究.结果表明:用研究人员建立的金属片加热区熔法装置生长氧化物晶体是可行的:分别生长出了没有宏观缺陷、透明的φ13×53和φ19×16的LiNbO<,3>晶体以及φ12×10的高熔点Al<,2>O<,3>等晶体;保持晶体正常正长的关键是熔区的稳定性;对于固溶体系的晶体生长,金属片加热区熔法可以较好地控制分凝,从而获得成份分布均匀的晶体;在生长低温相偏硼酸钡(β-BBO)时,金属片加热区熔法可以在最大程度上减少熔体过热、抑制高温相的形成,从而有可能亚稳生长出β-BBO晶体.
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