【摘 要】
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由于半导体低维结构具有独特的光电特性,在光电子器件领域中具有广阔的应用前景,因此对半导体低维结构的研究引起了人们的广泛关注.InAs与GaAs的晶格失配度为70﹪,InAs/GaAs是
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由于半导体低维结构具有独特的光电特性,在光电子器件领域中具有广阔的应用前景,因此对半导体低维结构的研究引起了人们的广泛关注.InAs与GaAs的晶格失配度为70﹪,InAs/GaAs是一种应变材料.InAs/GaAs低维结构中载流子驰豫过程是相应光电器件光电响应特性设计时依赖的基础.目前国际上对此已经进行了一些研究,所采用的实验方法各不一样,实验结果也比较分散.我们搭建了一套Pump-probe反射谱测量系统,并用于InAs/GaAs低维结构样品瞬态反射率的研究.我们研究了InAs/GaAs低维结构中载流子俘获时间与能量、激发功率和温度等试验条件的关系.载流子俘获时间随能量的增加而减小;随激发功率增加而减小,载流子的俘获过程是一种C-C散射作用.结构参数对低维结构的影响至关重要.我们首次研究了InAs/GaAs低维结构中载流子俘获时间与样品结构的关系.我们还研究了LT-GaAs材料中的载流子驰豫和俘获过程,以及LT-GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As光折变材料的载流子驰豫和俘获特性,并得到了一些有意义的结果.
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