采用新的薄膜制备方法——等离子体辅助射频磁控溅射,利用改造后的多功能镀膜机和自行研制的真空度数据采集记录仪器,当衬底温度为室温时,在石英玻璃衬底上制备出了低电阻率、高可见光透过率的AZO透明导电氧化物薄膜。研究了靶基距对薄膜厚度、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。当靶基距为100mm时,薄膜具有良好的晶粒排列和晶粒尺寸,在可见光区的透过率超过90%,所测得的薄膜的电阻率、霍尔迁移率和载流子浓度分别为1.0211×10-3ohm-cm,2.2749cm2/V.S和2.6905×1019cm-3,此条件下制备的薄膜基本满足AZO产业化生产指标要求,具有实用价值。　　 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软膺势方法计算了ZnO的原子及电子结构,从理论上给出了Al掺杂ZnO的晶体结构参数,计算并分析了ZnO和AZO晶体的结构、能带、总体态密度和分波态密度,并将计算结果与现有理论和实验进行了对比。　　 通过matlab运用数值分析的方法对AFM采集的纳米金刚石薄膜和微米金刚石薄膜5μm×5μm范围内的数据进行了处理,探讨了微观摩擦力与微观形貌、微观摩擦系数与微观形貌曲线微分(粗糙峰斜率)之间的关系,作出了拟合后的二维与三维摩擦力图与实际微观摩擦力图相对比,验证了Bhushan的摩擦棘轮理论。