等离子体辅助相关论文
For single layers of SiO2, Nb2O5, and Ta2O5 that are deposited by plasma-assisted reactive magnetron sputtering (PARMS),......
过渡金属及其碳化物薄膜现已广泛应用于微电子、能源及催化等领域.等离子体辅助原子层沉积能够产生高活性的反应粒子,具有沉积温度......
随着半导体工业的迅猛发展,不断缩小的器件尺寸对薄膜材料的制备技术及薄膜材料的性能提出了越来越高的要求。预测在2013年半......
采用纯锌靶材(99.99％)，利用等离子体辅助磁控反应溅射技术在玻璃衬底上制各氮化锌薄膜.利用XRD分析了样品的晶体结构，表明氮化锌......
文中提出一种扩展的薄膜微观结构的区域相图,可以用其来表征过滤阴极弧以及高功率脉冲磁控溅射镀膜过程中含有大量离子流的动态沉......
石墨烯在结构及性能上的独特优势赋予了其在现代科学和技术领域不可替代的作用.高品质石墨烯的可控制备及杀手锏级应用方向的开拓,......
The effects of working pressure on the composition, structure and surface morphology properties of CuInSe2 (CIS) films s......
采用新的薄膜制备方法——等离子体辅助射频磁控溅射,利用改造后的多功能镀膜机和自行研制的真空度数据采集记录仪器,当衬底温度为......
ZnO是一种直接带隙的半导体材料，室温下禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV。作为紫外发光和激光器件的候选材料，ZnO引起了广泛......
作为第三代半导体材料，碳化硅(SiC)具有带隙宽、电子饱和速度大、击穿电场强度和热导率高等特性；而一维纳米结构的SiC纳米线，具有了更......
本文的主要内容是金属氧化物薄膜HfO2和ZrO2的制备及相应的样品表征和性质研究。我们摸索发展了一种制备HfO2和ZrO2的薄膜的新方法......
针对传统磁控溅射方法沉积氮化钛涂层时存在沉积温度高、等离子体密度低;而沉积氧化铝薄膜时，条件范围很窄，较难控制，同时也很难获得......
在本研究中描述了从热ＣＶＤ（９００－１１００℃）越过等离子体辅助ＣＶＤ（ＰＡＣＶＤ），到用有机金属ＰＡＣＶＤ（ＭＯ－ＰＡＣＶＤ）的低达１４０℃的甚低落曙沉积这一合连续改善及它们的相应应用。研究了钢基体、硬......
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al2O3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜.使用反射式高能衍......
文中提出一种扩展的薄膜微观结构的区域相图，可以用其来表征过滤阴极弧以及高功率脉冲磁控溅射镀膜过程中含有大量离子流的动态沉积......
与水或低粘性的液体润滑油的代替在许多工业领域里是高度合乎需要的，由于环境、节俭的优点。水的低润滑可能为水力的部件的合适的操......
在动力传动带、软管、轮胎或其他经增强的橡胶产品中使用的经处理的碳纤维抗拉帘线和所得产品，它包含碳纤维，该碳纤维用在等离子体辅......
中科院物理所的王恩哥、白雪冬等与武汉大学的同事合作，在硼碳氮纳米管的结构调控和性质研究方面又取得了新进展。他们采用等离子体......
使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡＩＮ多晶膜。实验表明，当脉冲能量密度ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ＾－２，脉冲频......
<正>In this paper,a cylindrical dielectric barrier discharge（DBD） reactor has been developed for the conversion of methane......
离子淀积可提高表面粗糙度等级在切削刀具上采取等离子体辅助的离子强制淀积（ＩＡＤ）技术，可以得到更均匀的、较好粘附力和极光滑表面的ＴｉＮ涂层......
物理所王恩哥研究组与武汉大学的同事合作,采用等离子体辅助热丝化学气相沉积生长技术,在金属衬底上直接生长硼碳氮／碳多壁纳米管异......
Increase in Generation of Poly-Crystalline Silicon by Atmospheric Pressure Plasma-Assisted Excimer L
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<正> 一、引言目前,全世界许多超导研究组已将注意力集中到制备高 T。超导体的各种技术上。利用各种新技术制备的新材料薄膜至少要......
SiO2纳光子薄膜在光伏领域、纳光子和微电子学领域里有着广泛的应用.采用等离子体辅助电子束蒸发方法在低温条件下制备SiO2/Si纳光......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
期刊
玻璃是一种历史悠久、用途广泛的无定形硅酸盐材料,而石墨烯则是近年来发现的仅由碳原子组成的二维层状材料.石墨烯具有超高的机械......
氧化锌(ZnO)材料,是直接带隙的宽禁带半导体材料,禁带宽度达3.37eV,它在室温下有高达60emV的激子束缚能,正是由于具有这些优异的性......
学位
化学气相沉积法(CVD)是目前石墨烯工业化制备中使用最广泛的一种方法,但是由于反应时对温度要求很高,造成对能源的浪费和工业制造......
