随着电子产业的发展,集成电路在各种电子装置中发挥着越来越大的作用,而晶体管是集成电路中不可缺少的重要元件。晶体管的电气性能会影响到整个集成电路的功能,而它自身的结构尺寸极大的影响了其电气性能。传统的晶体管由以硅为代表的无机半导体材料制成,虽然它具有优异的电子特性,但其价格昂贵,并且其结构尺寸已经接近了小型化的极限。近年来,对有机半导体材料制成的有机半导体器件的研究已经成为热点,并且有机器件已经在显示器驱动等诸多领域成功应用。自从有机半导体器件问世并得以应用以来,有机静电感应晶体管的工作特性主要是通过实验实测的方法获得,其工作特性一直没有得到系统的、理论化的研究和阐述。有机静电感应晶体管工作特性的理论化研究为有机静电感应晶体管的应用提供了相应的理论基础,具有重大的理论及现实意义。本文针对已制作的有机静电感应晶体管建立物理模型,并将其简化为二维模型。选取适当的结构参数,运用有限元法,采用适当的边界条件求解泊松方程,得到了一系列离散的电势和电场数值,并依据这些数值绘制出了相应的电势和电场分布图形。通过对图形和数值的分析,解析了偏压条件和结构尺寸对有机静电感应晶体管工作特性的影响,并给出了有机静电感应晶体管沟道中势垒附近纵向和横向上的一维电势分布满足的二次方规律关系式。对有机静电感应晶体管的工作特性进行了较为系统的、理论化的研究。