现代微电子封装产业的进步，对键合丝高性能低成本化要求越来越高。铜键合丝由于性能和成本的优越性，逐步成为替代键合金丝的一种新型引线键合材料，在LED芯片封装及IC封装中具有广阔的应用前景。微细铜键合丝的连续退火热处理、中间退火热处理及复绕工艺是铜键合丝生产的重要工艺环节，决定着铜键合丝的最终使用性能。　　 本文深入系统地研究了键合铜丝生产过程中的连续退火及表面防氧化膜涂覆、中间退火、复绕等关键工艺。通过分析连续退火过程中气氛及主要参数的控制、表面防氧化膜浓度的调整、中间退火工艺对微细铜键合丝性能的影响、复绕关键参数对复绕效果的影响，提出了一套稳定的微细键合铜丝热处理和复绕工艺。主要研究结果如下：⑴采用N2、H2气氛保护连续退火工艺有效地消除了丝材加工过程中的表面氧化，获得了优化的微细铜键合丝连续退火工艺。连续退火在温度430℃-520℃，速度62m/min，能实现微细铜键合丝力学性能稳定，延伸率波动极差值为1.4，优于国家标准，且连续退火过程中基本不断线，成材率达到98％以上。⑵采用特殊的低浓度表面防氧化膜，有效地防止微细铜键合丝成品的表面氧化，可以在较长时间保持微细铜键合丝产品力学性能的稳定。⑶拉丝过程中的中间退火不仅提高了丝材的加工性能，而且有效地提高了微细铜键合丝成品的力学性能。针对本文研究的铜键合丝，采取优化的中间退火工艺：退火温度560℃-580℃、退火速度200-300rpm(约62-95m/min)，Φ0.020mm微细铜键合丝的延伸率提高约15%、断裂强力提高约7%。⑷提出了稳定的微细铜键合丝复绕工艺，实现了长度250m、500m微细铜键合丝成品的复绕，复绕结果经厂家使用验证：放线流畅，满足键合要求。⑸采用以上的工艺进行了小批量样品生产和相关厂家试用，结果表明：本研究的微细铜键合丝外观质量和性能符合规定要求，键合参数满足工艺规范，能够用于LED芯片封装和IC芯片封装。