键合工艺相关论文
对于微电子的芯片来说,由于产量巨大,其键合机追求高速高精,焊接工艺上要求一致且简略.然而,针对近年来蓬勃兴起的光电器件(激光器......
本文针对一种基于蓝宝石敏感结构的光学式超高温压力传感器的核心部件——蓝宝石压力敏感结构封装工艺问题,介绍一种基于原子扩散......
IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板(Direct Bonded Copper简称DBC)是在高温(＞1000℃)、流动(N2+O2)气氛下将厚度0.15mm～0.3mm的铜箔与厚度0......
本文首先分析了铝丝的可键合性,为制定键合工艺及提高铝丝键合的可靠性提供理论依据.同时,通过SEM和EDS等测试手段,分析了铝丝键合......
Through-silicon-via (TSV) interconnects can provide the shortest length and the highest density with significantly reduc......
键合是微流控芯片制作的关键技术之一。本文研究了PMMA的基片和盖片经过紫外光表面照射3h后，再浸入沸水中煮40min，可键合制成PMMA芯......
简单综述了微机械技术的先进性，该技术包括表面和本体硅微机械、电沉积和键合技术。给出了许多微型系统设计、生产和应用的实例，并对......
结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍ ａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍ ｍ 的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ ，比普通的抛......
随着集成电路业的高速发展,封装技术与设备也遇到了新的挑战。在先进封装的后道工序中,涉及到晶圆划片、芯片贴放、引线键合等工......
混合集成电路外引线键合的方式很多。与混合集成电路的内引线键合不同,外引线键合时,键合丝的1端在管壳的引线柱上。因此,管壳外引......
温度场是微系统领域中热键合技术的一个关键参量。在激光局部加热键合工程中通过控制激光键合参量可以获得受约束的局部高温分布而......
三,SiP的设计。系统级封装SiP的解决方案,从封装设计的角度观察,工作十分繁重。通常都需要广泛的合作,合作的范围包括IC制造方,封......
选用塑性变形梁BEAM23单元建立有限元模型,通过对引线分阶段分步施加位移载荷模拟键合头的运动轨迹,求解得到相应的引线轮廓形状。......
3D集成技术包括晶圆级、芯片与晶圆、芯片与芯片工艺流程,通过器件的垂直堆叠得到其性能的提升,并不依赖于基板的尺寸和技术。所有......
CCD键合工艺要求硅铝丝依次在Au焊盘和Al焊盘上完成一、二焊的超声键合。文章分别以Au焊盘和Al焊盘为研究对象,通过调整键合中的超......
多层圆片键合是实现三维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅......
为了优化硅圆片直接键合工艺,利用正交试验法,研究了活化液浓度、活化时间和活化温度3个重要工艺参数对硅圆片表面粗糙度的影响规......
目前,由于金价飞涨,对用其他键合线材料替代金的关注日益增长。其中,因为铜的成本低、电和机械品质比较好,就成了最常用的替代材料......
在Au丝热超声球形键合工艺中,焊点的特征(如球径和键合强度)取决于工艺参数值的选择。为了研究关键工艺参数超声振幅、键合时间和......
解决铜铜键合工艺中的铜氧化问题对于三维集成技术具有重要意义。选用1-己硫醇做临时钝化剂,通过自组装形式形成单层膜附着于铜表......
微泵是微流体芯片发展水平的重要标志.为提高微泵的工作性能,提出了一种新型行波驱动的压电微泵.在设计了不同的微管道结构(锯齿形......
0327893CIMS与SMT生产[刊,中]/鲜飞//信息技术与标准化.—2003,(7).—22-23(E)0327894晶片键合技术及其在垂直腔型器件研制中的应......
研究了基于Al_2O_3中间层的InP/SOI晶片键合技术。该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al_2O_3作为InP/SOI键合中间层,同时......
本文采用Si/Si直接键合制备p~+/n~-、n~-/n~-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺......
据报导用最新的GaAsFET可和新的InP耿效应器相竞争。 根据Varian研究小组报导,至少在18.5～26千兆赫下性能非常好。由M·N等人设计......
业已证明将顶层和衬底厚度调整到一适当值,可减小因键合工艺而引起的有源层应力。激射波长为740nm的(GaAI)As V形沟道衬底内部条形......
前言用扫描电子显微镜(SEM)的二次电子(SE)、电子束感生电流(EBIC)、阴极萤光(CL)信号分别观查了GaAs/GaAlAs DH激光器管芯的形貌......
制作混合微电路的最关键的工序之一是芯片电路与衬底电路的互连。几乎1/3的电路失效是因互连引起的,因此清楚地了解芯片与衬底的互......
“3DA312”晶体管,是根据中同轴电缆载波4380路基本增音机的迫切需要,而研制的专用器件,它也适用其它电子设备中,做高频放大和线性......
对制造厂家来讲,用于半导体组装的稀有金属的成本是一项极大的开支。从1985年到1990年间,估计采用金丝键合线的费用将超过15.84亿......
本文阐述了键合金丝质量要求,并介绍了键合金丝质量检测手段及方法.
This paper describes the quality requirements of the bon......
本文主要给出了不用任何媒介,直接将两个硅片结合在一起,形成pn结的方法及该pn结的特性。并从理论上对实验结果进行了论述。文章中......
一、引言目前混合集成电路的集成度不断提高,工艺也日臻完善。芯片移植的技术国外已在生产中广泛采用,并把它列为工艺能力的重要......
硅片直接键合是一种为传感器工艺提供广泛应用范围的新技术.它仅需基本的标准硅加工设备,它的基本工艺是把两个氧化的样片在室温下......
硅熔键合(SFB)是指不用中间粘合剂而将两硅片直接连结起来.该技术已应用于制备SOI衬底及硅功率器件,并也在硅传感器、执行器及其他......
本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从......
本文采用MW—EFO金属丝形球装置与JWYH—2型超声热压金丝球焊机进行了φ35μm的纯铜丝的球焊键合试验。对铜丝在不同的超声键合功......
硅直接键合工艺(SDB)自1986年Shimbo提出以来,日益受到国内外的重视。SDB与IC工艺兼容且具灵活的优点,为硅传感器提供了一种新的......
本文报道了硅各向异性腐蚀结合静电键合工艺制备出的大面积场发射阵列。阵列密度为１０￣６个／ｃｍ￣２，且具有良好的均匀性。该工艺简单、易于控制，是......
我们在高新技术产品试制过程中，对表面组装（ＳＭＴ）与芯片键合（Ｂｏｎｄｉｎｇ）的混合工艺作了一些探索——本文重点就有关工艺流程安排，以及在裸芯片组装中的......
