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该论文首次系统地分析了SIT、BSIT和SITH的工作状态和结构特点,提出了一些独立于其它场效应器件的新观点,建立了各自的物理模式,从理论上阐明了几何参数和掺杂浓度对势垒高度、I-V特性、各项电学参数和性能指标的影响.以此为基础,从器件物理角度指出了三种SID器件电学行为之间的联系和差异,提出对三种器件统一认识的观点.