自从石墨烯被发现以来,二维材料以其特殊的性质引起了人们的极大关注。目前,有关二维材料的研究已经超出石墨烯材料本身,逐步扩展到具有石墨烯层状结构的其他材料。硫族金属化合物因其具有类似的层状结构,愈来愈受到研究人员的重视。本文所介绍的二硫化锡(SnS2)就是这样一种材料,其层与层之间没有形成化学键,仅靠微弱的范德瓦耳斯力结合,可以被制备成二维材料。这里,我们用机械剥离石墨烯的方法制备了多个SnS2薄层样品。通过原子力显微镜的表征,确定了最薄的样品厚度为3 nm,层数在4层左右。在对不同厚度样品进行拉曼光谱表征过程中,观测到SnS2的特征峰位置随材料厚度减小发生移动和分裂的特殊现象,确定了被测样品的晶格类型。利用微器件加工工艺,我们用4层的SnS2样品作为沟道材料,制备了一个场效应晶体管,并对其电学性能做了表征。结果表明：作为沟道材料的SnS2样品为n型半导体。在室温条件下,背栅结构的器件中,阈值电压小于25 V,开关比超过4×104,载流子迁移率大于0.1 cm2V-1s-1。