SRAM广泛地被大部分晶圆代工厂主要使用,用来作为全新引入工艺的工艺调试以及已经投入实际使用的工艺的工艺监控。利用SRAM的可寻址性,可以比较容易地对失效点进行定位,并通过原子力显微镜探针(AFP)、扫描电镜(SEM)等物性失效分析手段来确认,分析失效原因,定位到产生失效的工艺步骤并进行改进。本论文提出了一种SRAM单元失效分析的新方法,这种方法不依赖于物性失效分析手段,而是通过特定测试流程与DFT电路进行电性分析。主要内容如下：(1)全面分析了SRAM单元的工作原理与最低电压失效的机制。(2)对最低电压失效的SRAM单元进行了失效建模,并借助DFT电路与特定测试流程,获取电性数据进行失效分析,最终将失效位置定位到了特定晶体管与失效类型。(3)通过对实际失效单元进行分析,以及将新分析方法所得到的结果与传统物性分析(主要为原子探针)所获数据进行比较,验证了新方法的可靠性。与传统的AFP等物性失效分析手段相比,新的电性分析方法由于受原理所限,其精度暂时还比不上传统的方法,但其独特的非破坏性,可大规模进行,耗时少等优点,使其更适合工程分析领域的应用。