在量子信息科学的发展历程中,非经典态的制备一直是非常重要的一个环节。长久以来,人们尝试在原子、光子分子以及半导体量子点等系统中制备非经典态,并将其应用到量子密码学、量子计量学以及量子通信等诸多领域。由于单量子点-腔耦合系统具有更长的相干时间,其高集成度和高稳定性的特征使其成为了单光子源的制备平台。而双量子点-腔耦合系统中存在巨辐射效应,在该系统中有望实现多光子非经典态的制备。基于此,本文给出了一种在双量子点-腔耦合系统中制备多光子非经典态的方案,并且揭示了双量子点对该系统的集合辐射性质,强度-振幅关联以及共振荧光谱等方面的影响。首先,我们利用双量子点-腔耦合系统中腔诱导透明（CIT）效应对单、双光子激发过程的抑制,实现了一种全新的制备多光子非经典态的方案。由于两个量子点的固有频率存在微小的偏差,能级图中产生了一个独立的跃迁通道,此时虽然单、双光子态被CIT效应所抑制,但独立的跃迁通道中任然存在单、双光子布居,导致系统处于巨辐射状态。在巨辐射区域内,尽管二阶关联函数远大于1,系统的光子统计仍然呈现出高阶的非经典效应。通过检验该系统的Klyshko品质因子,我们发现只有三阶及以上的光子数分布表现出非经典特性,因此我们把这种非经典态称为三光子非经典态。随后,我们将该方案进一步推广到强驱动的情况,给出了三光子概率为10-4的非经典态制备方案。为了进一步研究非全同双量子点-腔耦合系统的非经典特性,接下来我们分析了该系统的强度-振幅关联,发现非高斯涨落会导致强度-振幅关联函数的时间不对称性。我们从单光子态完全坍缩和部分坍缩的角度,揭示了时间不对称的物理机制。在全同量子点体系中,单光子跃迁远离共振,因此单光子坍缩态的异同对系统的影响不大,时间不对称性不明显。然而对于非全同量子点,随着两个量子点本征频率间失谐量的增大,单光子跃迁逐渐趋于共振,相应的布居增加,此时强度测量导致的完全坍缩和振幅测量导致的部分坍缩之间的区别显现出来,使得时间不对称性更加明显。此外,我们还利用零差交叉关联判据检验了该系统的非经典特性,发现输出光在光子聚束并且非压缩的参量范围内依旧会出现非经典效应。最后,我们在超强耦合机制下探究了双量子点-腔耦合系统的超窄线宽共振荧光谱及其非高斯性质。在超强耦合（USC）机制下,旋波近似（RWA）将会失效,哈密顿量中的反旋波项导致了能谱图中的能级交叉以及免交叉现象。我们将驱动光频率对准能级免交叉时的腔频,得到了一个等效的拉比驱动下的四能级修饰态模型。在能级免交叉的情况下,由于两个亚稳态上的电子搁置效应,密度矩阵元中非相干项的衰减速率减慢,从而形成了一个超窄线宽峰。并且通过真空诱导的量子干涉效应与相干项耦合了起来,最终在观测边带所辐射的荧光时,共振荧光谱的中心位置出现了超窄峰。而在能级交叉的情况下,荧光谱中相较于一般的Mollow三峰带多出的额外内边带会凸显出来。最后,我们还利用强度-振幅关联函数分析了系统的非高斯性质,发现双量子点-腔超强耦合系统具有明显的非高斯性质,并且随着驱动强度和耦合强度的增加,系统的非高斯特性会进一步增强。