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噻咯(Silole)即硅杂环戊二烯,由于其良好的电子亲和力和高的电子迁移率,使它在光电子材料领域有着广泛的应用前景。本论文合成并表征了三类含噻咯化合物,包括含噻咯的σ*-π*共轭聚合物,基于三苯胺和噻咯构建的D-A型聚合物和萘基取代的2,3,4,5-四苯基噻咯衍生物,研究了其各项性能及潜在应用,主要内容包括以下几方面：(1)合成并表征了一系列含噻咯的σ*-π*共轭聚合物(P1/5-P4/5)。此类聚合物的聚合产率高,溶解性和热稳定性良好。TGA结果表明,5%的失重温度(Td)均大于400℃,其中P1/5-P3/5的Td为440-449℃,P4/5为420℃。此外,由于聚合物中的硅原子的含量较高,并且可能存在偶联反应,P1/5-P3/5的60%失重温度高达750℃。因此,此类聚合物有可能作为硅碳陶瓷的前驱体。此类聚合物在溶液中发光较弱,但在不良溶剂中呈聚集态或制备成固体薄膜时,发光性能变强,表现出聚集诱导荧光增强(AEE)的特性。通过对苦味酸(PA)进行检测发现,此类聚合物在聚集态时荧光可被PA完全淬灭,淬灭常数高达27949L mol-1,此荧光过程表现出放大效应,表明此类聚合物是一类高效的爆炸物检测材料。(2)合成表征了以三苯胺为电子给体(D)、以噻咯为电子受体(A)的线性和超支化的D-A共轭聚合物(PAE)。此类聚合物具有良好的热稳定性,5%的热失重温度(Td)在400℃左右。荧光测试发现,此类聚合物表现出分子内电荷转移效应(ICT)与AEE性质共存的现象。(3)合成表征了两个萘基取代的2,3,4,5-四苯基噻咯小分子化合物。萘基团的引入,增加了噻咯的共轭程度和分子的刚性,提高了热稳定性,Td在400℃左右。荧光测试显示,两个化合物均具有聚集诱导发光效应(AIE),这表明萘基的引入并没有改变噻咯分子的AIE特性。通过研究发现,p位萘基取代的化合物比α位萘基取代的化合物能隙更小,在紫外和荧光光谱中均有红移。