【摘 要】
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该论文包括了类硅铑离子的3s3pP-3s3pS的禁戒跃迁谱线的研究及实验方法的简单介绍.该论文工作主要是研究n=3,△n=0的禁戒跃迁谱线波长,特别是类硅离子从五重态跃迁到三重态产
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该论文包括了类硅铑离子的3s<2>3p<23>P<,1,2>-3s3p<35>S<,2>的禁戒跃迁谱线的研究及实验方法的简单介绍.该论文工作主要是研究n=3,△n=0的禁戒跃迁谱线波长,特别是类硅离子从五重态跃迁到三重态产生的谱线.该工作中,我们除了用与之前两个工作相同的实验方法,还用了CCD探测系统,使信噪比得到了很大的改善,这对以后的数据分析帮助很大.我们用束箔法研究了类硅铑离子的3s<2>3p<23>P<,1,2>-3s3p<35>S<,2>的禁戒跃迁谱线,并较刻了这两条谱线.我们研究的结果,可以从以下四个方面得到支持:(a)已知基态精细结构的分裂;(b)基于分支比的强度比;(c)相似的衰减特性;(d)离子束能量下的谱线预期值.
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