在CCP(capacitive coupling plasma)中调谐基片偏压具有不连续变化现象，当基片之间为渐增的感抗时，基片上会产生渐增的负偏压。但当电感增加超过一关键值后，基片电位不连续地减小，有时变为正值。 我们研究小组首次在ICP(inductive coupling plasma)中进行了射频调谐基片偏压实验，并且观察到基片偏压的双稳、跳变回滞现象。实验中在基片台上外接一个LC串联电路，随着调谐电容的增加，基片偏压超过一定值时，偏压曲线由负的最大值跳到上面的曲线分支；当减小调谐电容，基片偏压并不在原上跳电容值处下跳，而是在上面曲线分支稳定一定电容间隔后下跳。 论文通过实验结果分析了基片偏压产生双稳、跳变回滞现象的物理原因，给出了影响跳变回滞的因素。 实验结果表明这种跳变回滞现象与等离子体的放电气压、射频功率以及调谐外电路的参数等多种因素密切相联系。而产生跳变回滞现象的原因是ICP中存在容性耦合以及鞘层电容具有非线性特性。鞘层电容的非线性变化导致了基片偏压的非线性变化。