硅微条探测器是一种性能优异的半导体位置灵敏探测器。芯片主要制作工艺包括清洗、氧化、光刻、刻蚀(或腐蚀)、注入、退火、金属化、合金,需要在硅片上反复进行操作,要求非常严格。通常使用表面电阻率5000-20000Ω·cm的高阻硅片(进口,区熔法生长)制作。工艺前后通过多种光学、电气手段严格检测工艺效果和质量。后端封装工艺主要包括划片、胶粘、键合。　　 我们自行建造了一条小型柔性微电子工艺线,拥有主要工艺及条件设备,基本电气、光学检测设备。利用该工艺线制作了国内第一块硅微条探测器芯片。此双面二维硅微条探测器芯片(50mm·50mm,P面、N面各96条),金属化前利用探针测试台测得单条反向电阻超过200 MQ；测量能量5.486 MeV的α能谱(241Am),能量分辨率平均约为3％,最高为1.8％。该芯片为实验片,使用国产硅片(电阻率较低,缺陷较多)制作,测试在大气下进行,入射粒子没有经过准直。正式芯片将使用进口高阻硅片制作,金属化并完成封装后,在真空下测试,采用新型电子学插件,入射粒子经过准直,能量分辨率将有很大提高。