自掺杂富银（Ag）的硒化银（Ag2+δSe）材料具有较大的线性磁电阻效应，并且在较宽的温度范围（1K-300K）和超宽磁场范围（1mT-55T）内保持良好线性且未出现饱和迹象，这种输运特性无法用窄带半导体的经典输运机理解释。现阶段对于Ag2+δSe材料的线性磁电阻效应机理的解释主要有两种：量子磁电阻效应和经典无序电阻模型。前者强调Ag2+δSe类材料的零带隙特性及线性色散关系，当材料体系达到量子极限，也即所有电子都只占据一个朗道能级时，磁电阻就和磁场呈线关系；后者则强调材料中结构的无序导致了电流的无序，进而导致迁移率有较大的波动，迁移率的波动能直接产生线性磁电阻效应。由于自掺杂的Ag2+δSe材料特殊的磁电阻效应，使得它在磁场测量方面有很好的的应用前景。在本课题组的前期研究中，我们发现自掺杂的Ag2+δSe材料的电阻率太低及载流子浓度过高，这均会导致电噪声过高，从而影响其作为磁场探测器的应用。为了改进Ag2+δSe的性能，我们用水热法对Ag2Se进行了掺杂改性实验，制备了掺In和Co两个系列的Ag2Se体系的材料。对于掺In的Ag2Se材料，我们通过XRD、XRF等分析测试手段的分析，发现产物为Ag2Se和AgInSe2组成的复合材料，并通过SEM和TEM观察了粉末和块材样品的微观形貌，显示有两种大小不同的晶粒，分别对应着Ag2Se和AgInSe2两种相。对于掺Co的粉末样品，通过XRD、XRF和Rietveld精修等手段发现所得产物为Co代替Ag的代位固溶体，最高固溶度可达40%，且主要占据AgI位。最后，我们对一系列In含量不同的Ag2Se-AgInSe2复合材料样品做了横向磁电阻效应(TMR)的测量，发现所有的样品的磁电阻都是在低场时与磁场呈二次方关系，高场时则呈现非常好的线性关系并且直到50T都没有饱和的迹象。TMR随着In含量的增加而降低，最高可达400%，这应该与材料的宏观无序状态有关，即符合经典无序电阻模型。AgInSe2相的存在一方面增加材料的电阻率，从而降低材料在测量中的电信号噪音，但另一方面也会降低TMR，因此加入适量的AgInSe2相有助于提升Ag2+δSe材料在磁场测量方面的性能。