本文主要研究了外界干扰对磷化铟多孔层的影响,利用电子束曝光技术辅助电化学刻蚀技术和激光干涉技术辅助电化学刻蚀技术,分别制备出了基于磷化铟材料的半球形径向多孔结构,这种半球形径向多孔结构对仿生复眼结构的研究提供了新的思路。通过研究在电化学刻蚀过程中施加外界干扰对磷化铟多孔层的影响,阐述了剥离的多孔层、外界干扰和振荡曲线之间的相关性,阐述了施加外界干扰能够有助于转移InP的多孔层,并且外界干扰的方法也为磷化铟的半球形径向多孔结构的转移提供了依据。利用电子束曝光技术在InP上制备了具有孔阵的掩膜,在此基础上实现了电化学刻蚀制备半球形径向多孔结构,并且讨论了刻蚀时间与刻蚀电流密度对半球形径向多孔结构形成的影响。在激光干涉技术和电化学刻蚀技术相结合方面,基于激光干涉的原理,搭建了激光干涉的双光束光路系统,在InP衬底上实现了线栅掩膜,经电化学刻蚀后,发现在InP表面存在少量的半球形径向多孔结构。利用扫描电子显微镜观测半球形径向多孔结构的表面及截面形貌,发现基于InP的仿生复眼结构的尺寸在几微米的量级。利用角分辨光谱显微镜测试半球形径向多孔结构的反射率,结果表明其对特定波段的可见光具有低反射率的光学特性。