【摘 要】
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该论文研究了优质GaAs红外激光窗口材料的制备及特性;退火热处理工艺对GaAs窗口晶体的位错、残余应力、迁移率和断裂模数的影响;GaAs窗口晶片表面光学加工对GaAs窗口晶体性能
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该论文研究了优质GaAs红外激光窗口材料的制备及特性;退火热处理工艺对GaAs窗口晶体的位错、残余应力、迁移率和断裂模数的影响;GaAs窗口晶片表面光学加工对GaAs窗口晶体性能的影响.取得的主要结果如下:1.首次在LEC法GaAs窗口晶体生长过程中,采用氧化铬(Cr<,2>O<,3>)作补偿掺杂剂,实现高阻补偿条件.2.轻掺氧化铬GaAs窗口晶体在室温下的自由载流子浓度低于5×10<6>cm<-3>,制备的高阻GaAs窗口晶体具有良好的红外透射特性.3.首次用X射线三轴晶衍射法对GaAs窗口晶体进行无损、高精度晶格点阵常数测量.4.GaAs窗口晶体的X光透射形貌像表明:晶体中位错径向分布呈"W"型,与GaAs熔融KOH腐蚀坑的径向分布结果一致;轻掺氧化铬GaAs窗口晶体中位错的分布对红外透过率影响小.5.高温退火条件下,GaAs窗口晶体与石墨接触处散热不均匀导致温度梯度增加,致使该区域范性形变而产生位错,刃型位错受热应力的作用向垂直滑移面的平面移动,聚集后可形成小角晶界.6.高温退火条件下,由于GaAs切割片表面损伤层中的缺陷、残余应力等的吸附效应,剩余杂质在晶体表面富集,体内杂质缺陷浓度降低,减小了对载流子的散射,从而提高载流子的迁移率.7.GaAs窗口晶片表面损伤状况与光学加工方法密切相关.X射线衍射回摆曲线的半高宽随表面损伤降低而减小.8.该研究所制备的GaAs窗口晶体具有良好的力学、光学、机械性能和极高的热破裂临界激光功率、光畸变品质因素.
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