钇钡铜氧涂层导体中缓冲层的化学溶液法制备及相关性能研究

来源 :中国科学院固体物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ychh1988
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  本论文采用化学溶液法在金属镍基带和单晶基板上分别进行了SrTiO3(STO)基、LaMnO3基和Sr2FeMoO6薄膜材料的制备和相关物理性能的研究,取得的主要研究结果如下:1.系统研究了种子层在化学溶液法制备SrTiO3(STO)/Ni缓冲层时的作用。研究发现,在制备高度取向的缓冲层时,种子层是必需的;首次提出种子层的厚度具有最佳范围。 本文在金属镍基带上采用化学溶液法制备STO缓冲层时,在种子层中加入适量的Ba元素来替代Sr,由于在烧结过程中可能会出现BaF2液相使得种子层的取向得以提高,从而提高了后续STO缓冲层的取向性。 本文采用化学溶液法在(001)LAO单晶衬底上制备出了具有赝立方结构、高度(h00)取向的LaMnO3薄膜,但是在金属镍基带上采用相同的制备工艺所制备的LaMnO3薄膜为正交结构、其取向为(001),即使采用Ba0.3Sr0.7TiO3作为种子层或STO作为基层也不能制备出具有赝立方结构、高度(h00)取向的LaMnO3薄膜。我们将这种变化归结为晶界对薄膜生长过程的影响所导致。 本文采用化学溶液法在Y稳定ZrO2(yttriumstabilizedzirconia,YSZ)单晶衬底上制备出高度(h00)取向的La0.8Na0.2MnO3薄膜。
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