半绝缘GaAs光电导开关光吸收机制与雪崩击穿机理研究

被引量 : 1次 | 上传用户：qinqinlian1982

【摘要】

：

与传统开关相比,光电导开关具有开关速度快、时间抖动低、寄生电感电容小、结构简单,尤其是开关耐高压、功率存储容量大等特性,使其在脉冲功率等技术领域的应用具有极大的优势。由III-V族半导体化合物(如:GaAs、InP等)研制的半导体光电导开关,由于高倍增模式下出现的各种现象,使其应用领域更为开阔。本论文在对光电导开关线性模式有关实验系统研究的基础上,对半绝缘GaAs光电导开关的光吸收机制以及非线性模

【作者】

：

王艳莉

【机构】

：

西安理工大学

【发表日期】

：

2015年06期

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