陶瓷焊球阵列封装（CBGA）技术被广泛应用于芯片封装工艺中,为解决在封装过程中高热膨胀系数的印刷电路板（PCB）与基板的热失配问题,需要研究开发出具有高热膨胀系数、高强度的低温共烧陶瓷（LTCC）基板材料。二硅酸锂微晶玻璃有良好的力学性能、介电性能及可控的热膨胀系数,因此具有作为CBGA封装基板材料的潜能。以无压烧结法制备二硅酸锂微晶玻璃,以收缩率为判据测试了微晶玻璃的烧结温度范围;利用三点弯曲法测试样品的抗折强度,热膨胀系数测试仪测试试样在20-500℃的热膨胀系数以及利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜（SEM）分析样品的物相组成和形貌;通过阻抗分析仪测试样品的介电性能。研究结果表明:在以Li₂O-SiO₂体系为基础的微晶玻璃中设计不同摩尔比的SiO₂/Li₂O能够调整微晶玻璃的抗折强度,当SiO₂/Li₂O摩尔比值为2.28时,微晶玻璃的综合性能较好,烧结温度范围为820±15℃,在烧结温度范围内抗折强度为266.7 MPa,热膨胀系数为10.92×10^-6/℃;1 MHz频率下,样品的相对介电常数为1.33,介电损耗为3.51×10^-3。以P₂O₅为晶核剂引入到Li₂O-SiO₂体系,在烧结过程中会析出Li₃PO₄晶粒,提供形核位促进体系中Li₂Si₂O₅晶体的析出,但P₂O₅含量过多时会使富锂区粘度增大,阻碍Li₂Si₂O₅晶体析出长大;碱金属氧化物Na₂O能够降低微晶玻璃的烧结温度,但会使体系的介电性能恶化,应当少量添加改善烧结温度即可。以Li₂O-SiO₂系基础玻璃粉末、石英粉制备二硅酸锂微晶玻璃/石英复合材料,并对析出晶相种类和热膨胀系数、力学性能、介电性能等进行了分析和讨论,结果表明石英的添加会使体系中α-石英相的含量增多,热膨胀系数有所提升,但石英含量增加也使得烧结温度升高,致密度降低,力学性能随之降低;当掺入15 wt.%石英粉时,综合性能最好,烧结温度范围为820±20℃,当烧结温度为820℃时,样品的抗折强度为222.4 MPa、热膨胀系数为11.82×10^-6/℃,1 MHz频率下相对介电常数为4.13,介电损耗为0.11。