本文主要研究了PTCR元件制造过程中Nb、La、Y三种施主掺杂和Na0.5Bi0.5TiO3（NBT）对元件居里温度的影响。Nb2O5掺杂摩尔比为0.118%—0.144%的范围内元件可良好半导化，随着Nb2O5掺杂增加，元件的居里温度略有下降（112℃+2℃）；La2O3掺杂摩尔比为0.097%—0.160%的范围内元件可良好半导化，随着La2O3掺杂增加，元件的居里温度略有下降（96℃+2℃）；Y2O3掺杂摩尔比为0.140%—0.191%的范围内元件可良好半导化，随着Y2O3掺杂增加，元件的居里温度略有上升（125℃+2℃）。三种施主掺杂都得到了明显的室温电阻率—掺杂摩尔百分比U型曲线。预烧之前添加NBT相对基础配方居里温度最多提高了20℃，预烧之后添加NBT相对基础配方居里温度最多提高了24℃，预烧前后添加NBT都会导致元件室温电阻率的升高。预烧后添加NBT相对于预烧之前添加更加集中作用于晶界，从而对居里点具有更高的移动效率。