当今半导体技术经历飞速的发展已进入到纳米级工艺时代。集成电路制造在低k1值的光刻工艺条件下,特别是对于65纳米以下的技术节点,尽管已使用最先进的浸没式光刻机台来曝光,也面临着解析度到达极限的困境。当面对愈加复杂的二维版图设计时,光阻桥接和图形变细等光刻工艺敏感缺陷已愈发严重。但不断发展的分辨率增强技术与可制造性设计逐渐被委以重用并大放光彩,使集成电路制造成功地向16乃至10纳米工艺迈进。光学临近修正技术是分辨率增强技术中最为常用也是最主要的技术手段。基于模型的OPC技术以其较高的修正精度和成熟的技术为芯片代工厂所青睐。该技术首先是利用在相同工艺条件下的测试图形,于实际硅片上量测的关键尺寸的集合来构建OPC模型,再以OPC模型为基础结合各种修正算法对客户数据版图进行处理。随着设计版图越来越复杂,对OPC模型修正精度的要求也越来越高。本文旨在介绍一种能够实现精度可靠的一维和二维OPC测试图形的生成方法。对于一维OPC测试图形生成,首先是在全节距的测试图形上选取若干个光学信号采样点,根据采样点的目标尺寸与实际硅片上的量测差值,并参照次分辨率图形来确定测试图形的节距。通过对比试验发现,新方法在测试图形数量上减少14%;在模型构建时间上平均可以减少7.65%;此外96.72%的实际版图结构的单边拟合误差在规格内优于传统方法的95.88%。二维OPC测试图形生成,是利用四组特殊图形单元组通过蒙特卡洛法按照一定的填充概率在预设的图形框架内进行排列组合。通过掩膜板制作规格检查来滤除不符合条件的摆放组合,继续用蒙特卡洛法填充直至框架全部填满为止。从对比试验可以发现,新方法所构建的模型在客户数据版图的光阻桥接和图形变细等热点图形预测精准度上分别提高了13%和15%。且该方法引入特殊图形单元填充概率的设定,使生成的二维OPC测试图形更贴近版图的实际设计,能确保OPC模型的最终修正精度。