锑化物材料在中红外波段有着广阔的前景和重要的应用,GaSb是锑化物材料的基础,它和很多三元四元化合物晶格相匹配是锑化物材料的理想衬底。但是本征GaSb存在大量受主,无法得到半绝缘衬底。此外,对于锑化物量子阱激光器结构中要求GaSb具有不同类型的导电特性和不同的掺杂浓度。近年来用MBE法生长GaSb材料有效的解决了以上问题。本文利用MBE法通过对Ga源温度、生长温度及Be源温度的调控,制备了Be掺杂的GaSb薄膜。通过HALL测试,载流子浓度调控范围在1016~1019数量级之间。对于n型GaSb的制备,选择Te元素做为掺杂剂。通过HALL测试载流子浓度调控范围在1017~1018数量级之间。在Ga源温度和生长温度都相同的情况下,无论p型或n型样品其载流子浓度都随掺杂元素源温度升高而升高,迁移率随源温度升高而降低。利用AFM对样品表面形貌进行了分析,所制备的n型和p型GaSb薄膜外延质量良好。