由于具有其他波段无法比拟的特点，THz波在成像、通信、生物医学等众多领域都具有广阔的应用空间。而THz技术要真正步入实际应用，相应的调制器件是必不可少的，所以随着THz波发射和探测技术的不断发展，对THz调制器件的研究也越来越引起人们的重视。本论文旨在利用VO2薄膜的相变特性通过对THz波振幅进行调制以实现THz频率范围的滤波功能。首先，对调制器件相关材料在THz波段的具体参数进行了提取。为此，推导了一般情况下材料参数与THz波透过谱之间的关系，并且根据材料厚度的不同，分别对块状晶体和薄膜材料分别进行讨论计算。最终根据上述理论求得了论文中涉及到的蓝宝石基底和VO2薄膜在THz波段的折射率、电导率以及介电常数等信息。其次，利用具有快速退火工序的磁控溅射手段制备了VO2薄膜，并且利用THz时域频谱系统研究了经过不同退火温度和退火时间处理过的VO2薄膜的光致相变特性。通过分析相变深度、相变点宽度、相变阈值等参数，得出退火温度和退火时间分别为560°和60s时，制备的VO2薄膜相变性能最好，对于THz波可以获得将近80%的调制度。同时也对VO2薄膜的热致相变进行了研究，获得的结果跟光致相变相一致。最后，把具有相变特性的VO2薄膜与金属孔阵列的表面等离子激元(SPP)相结合，通过改变金属孔结构形状和介电层实现了对THz波的灵活调制。经过理论模拟，分别得出十字结构的SPP共振特性与十字形状以及基底VO2薄膜电导率之间的关系。之后通过光刻手段，以VO2薄膜作为基底，在上面获得了线宽为10μm的金属铜SPP结构。实验结果也论证了模拟结果，最终获得了31.5%的谐振中心频率偏移量。