低噪声放大器(LNA)在射频接收装置中位于系统的前端，其对射频接收系统的接收灵敏度和噪声性能起着决定性作用。随着单片微波集成电路(MMIC)技术及工艺的发展成熟，高性能低噪声放大器的需求日益扩大，本文的研究工作就是基于MMIC技术，研制频率覆盖K和Ka两个波导波段，具有优良性能的微波宽带低噪声放大器。在整个设计研发过程中，针对各个指标的要求，提出了一种改进的偏置、匹配以及负反馈网络，很好的满足了设计指标的要求。论文分析了低噪声放大器的基本理论，完成了20GHz～30GHz宽带低噪声放大器设计，对直流偏置电路、匹配电路进行了电路结构设计与仿真，完成了整体电路的偏置网络设计、匹配网络设计，分析了整体电路的稳定性，并针对工作频段20GHz～30GHz的要求，本文所设计的电路选择了0.15um GaAs PHEMT低噪声器件模型，仿真实现了放大器电路的高频宽带工作以及低噪声，整体电路以MMIC工艺完成芯片流片，芯片采用三级放大的拓扑结构，对各级管芯设计了相应的偏置电路，采用微带线匹配网络设计了输入端噪声匹配电路和输出端功率匹配电路，同时利用源极串接微带负反馈电路的方法，提高了电路的稳定性。测试结果表明，最终实现的宽带MMIC低噪声放大器集成在尺寸为2.0mm×1.1mm的GaAs基片上，其工作频带范围为20GHz～30GHz，在工作频带内噪声系数低于3.0dB、增益超过22dB、输入输出驻波比小于2.0，达到了设计指标的要求。