【摘 要】
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该文用量子阱互混方法中的无杂质空位扩散的方法,研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱结构材料的带隙蓝移.实验中所用的样品都是用气体源分子束外延(GSMBE)生长的.用等离子体增
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该文用量子阱互混方法中的无杂质空位扩散的方法,研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱结构材料的带隙蓝移.实验中所用的样品都是用气体源分子束外延(GSMBE)生长的.用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法对三种不同结构的样品分别淀积了SiO<,2>和Si<,3>N<,4>电介质盖层,用甩胶机甩了SOG电介质薄膜,然后在不同条件下通过快速热退火处理来研究带隙改变情况.光荧光谱(PL)测试分析表明:带隙蓝移与退火温度、退火时间及淀积的电介质薄膜都有关.用二次离子质谱(SIMS)对互扩散过程进行了研究,发现阱、垒中Ⅲ族和Ⅴ族原子之间互扩散导致阱和垒原子组分变化,进而改变带隙.首次用光调制反射谱(PR)的方法研究了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的带隙变化情况.实践证明:无杂质空位扩散的方法可以实现带隙蓝移.此方法工艺简单,即没有引入杂质也没有导致自由载流子的光吸收增大.对于我们实验中的样品最大蓝移可以达到50meV(89nm).
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