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在钒的氧化物中,VO、V_2O_3、VO_2、V_3O_5、V_6O_(13)和V_2O_5具有温度相变特性,当材料温度低于相变临界温度时,该材料显示为半导体或者绝缘体的特性;而当温度高于其相变温度时,该材料却又显示为金属特性。以VO2材料而言,其典型的相变温度发生在68℃,在相变温度附近,随着材料温度的变化,其电阻率随之发生显著的变化,是目前用来制备8—12μm长波红外探测中非致冷微测辐射热红外探测器热敏电阻的理想材料。本文采用高纯金属钒靶,采用反应直流磁控溅射沉积法制备VO2薄膜,并分