锡掺杂氧化铟(Tin-doped indium oxide, ITO)是一种n型半导体材料，因具有优良的导电性能、高的可见光透过率和优良的机械性能等优点，一直是材料、微电子和光电子领域的研究热点。　　目前ITO薄膜有多种制备方法，例如：化学气相沉积法、喷雾热解法、真空蒸发法、溶胶-凝胶法、磁控溅射法等。其中磁控溅射技术因具有可制取高熔点物质的薄膜、与基片附着力大、成膜面积大以及均匀性好等优点，现已被广泛应用到各个领域。但该技术也存在一些不足之处，如在溅射镀膜过程中，等离子体中除了沉积粒子In3+、Sn4+、In2O3、SnO2外，还有O2ˉ、Oˉ等负离子和二次电子，这些高能负粒子会对衬底及其上已沉积的薄膜产生溅射损伤，并且高能粒子打入膜层会引起杂质气体的混入、缺陷的产生及薄膜内应力的增加，对薄膜的性能产生负面影响。为减小负离子和二次电子对衬底的轰击作用，我们对传统直流磁控溅射(DC Magnetron Sputtering, DMS)技术进行改进，自主研发了一种称之为“能量过滤磁控溅射”(Energy Filtering Magnetron Sputtering, EFMS)的镀膜新技术，采用EFMS技术了制备了成膜质量更高、光电性能更好的ITO薄膜。　　随着太阳能电池、平板显示技术、OLED技术的快速发展和广泛应用，对ITO薄膜的光电性能有了更高的要求。本文主要通过改变工艺条件、改进制备技术和借助TFCalc软件优化来提高ITO薄膜的光电性能。　　本文的研究工作主要分为以下三部分：　　(1)采用直流磁控溅射技术在K9玻璃(2.5cm×2.5cm×0.1cm)上制备了ITO薄膜。溅射所用ITO靶材的纯度为99.99％、In2O3:SnO2的质量比为9:1。利用控制变量法，研究了基片温度、溅射时间、氧氩比、溅射功率和溅射压强等制备工艺条件对ITO薄膜性能的影响，以及这些制备工艺条件对ITO薄膜折射率的影响。用 X射线衍射仪，扫描电子显微镜，分光光度计、椭偏仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、形貌、光学性能(透射率、折射率和消光系数)和电学性能(方块电阻和电阻率)进行了表征。结果表明，制备工艺条件对ITO薄膜的光电性能及折射率有或大或小的影响。　　(2)采用DMS和EFMS两种制备技术，分别在室温和高温条件下制备了厚度相同的ITO薄膜样品，研究了两种制备技术对ITO薄膜光电性能的影响，以及两种制备技术对ITO薄膜折射率的影响。结果发现，较DMS技术，EFMS技术制备的ITO薄膜有更好的光电性能，有更低的折射率。　　(3)通过利用两种技术制备ITO薄膜的研究，得到具有最低折射率、最高折射率ITO薄膜的制备工艺条件。在此条件下制备ITO薄膜样品，采用椭偏仪表征其折射率，并将折射率导入TFCalc软件中进行优化，得出了ITO单层减反射膜和 ITO同质双层减反膜的最佳制备工艺条件。在该最佳工艺条件下制备了上述两种减反射膜，并对其光电性能进行了表征。结果表明，在可见光范围内，两种减反膜的平均透射率均有所提高，其电学性能也有所改善。