1.LT-GaAs/AlGaAs材料的物性分析及应用;2.GaN基材料在发光二极管中的应用

来源 :中国科学院物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jiangwei521521
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该论文所从事的研究工作主要集中在两个方面:一是LT-GaAs/Al<,0.3>Ga<,0.7>As材料的物性分析和其在光折变器件上的应用,一是GaN基材料在发光二极管中的应用.在第一部分研究工作中,作者用低温分子束外延技术,在不同砷压条件下生长了GaAs/Al<,0.3>Ga<,0.7>As多量子阱结构.通过对其光学性质的分析,作者发现在不同砷压条件下生长的GaAs/Al<,0.3>Ga<,0.7>As多量子阱的光学特性存在明显不同,而这种光学特性的不同是由于砷压对低温材料中点缺陷的不同控制作用所导致的.在第二部分研究工作中,作者通过改善材料的生长条件和器件工艺,获得了5mW的GaN基蓝光二极管.与此同时,作者也对在衬底温度升高时,NH<,3>流量对GaN/InGaN量子阱光学特性的影响作了深入研究,发现在不同的NH<,3>流量条件下,量子阱中In组份的分布也不同.
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