近年来,随着纳米光子学的发展,微米或纳米尺度微结构奇特的热辐射性质引起了人们极大的兴趣,这种结构在热光伏发电系统、能量转换系统等领域都有很好的应用前景,本文就是研究了含有缺陷后的一维周期结构的相干热辐射性质。我们分析了含有普通非吸收缺陷层的一维有限长度周期结构的光学性质,研究了缺陷层厚度对于反射率的影响、一维周期结构的态密度分布,通过计算我们发现一维周期结构在禁带边缘存在态密度峰,禁带内部态密度为0,引入缺陷后会相应的出现缺陷态的态密度峰。对于含有吸收介质SiC缺陷的一维有限长度周期结构的光学性质,我们也进行了研究,缺陷层的插入方式分为直接插入和替代式插入,我们分析了缺陷层厚度、发射角度对发射率的影响,并对辐射的时间和空间相干性进行了探讨,给出了表征发射峰时间相干性的品质因子及表征空间相干性的辐射角分布图。我们研究了含有吸收介质缺陷SiC的半无限长一维光子晶体结构的相干热辐射性质,而缺陷层前面的周期结构为有限长度可以使得外侧光场能够到达缺陷层从而被吸收,而发射率的极大增强是由于缺陷模和缺陷与右侧周期结构交界面上激发的表面波的耦合作用,我们研究了缺陷层厚度等参数对发射率的影响,并给出了发射峰波长对应的电场的空间分布,另外还分析了缺陷模对热辐射的辐射率、相干性影响。