石墨烯作为一种二维材料，因其独特的电学力学光学等优良性能，迅速成为科学界研究的热点而石墨烯独特的电学性能与易剪裁特征，使其成为后硅时代纳电子器件的理想材料本文基于量子力学的非平衡格林函数理论，在紧束缚近似模型下，结合器件的工作原理，分析了基于石墨烯纳米条带几种结构的输运性质，研究了以扶手椅型石墨烯纳米带作为导电沟道的不同结构场效应管器件的电学特性，分析影响器件性能的主要因素，本工作对揭示石墨烯纳米条带场效应管的输运物理机制改善其器件性能提供理论依据首先，基于石墨烯及石墨烯纳米条带的能带理论，对扶手椅型石墨烯条带为沟道的场效应管的输运特性进行了研究，发现纳米条带的宽度越宽，器件的栅控能力越低其次，提出了一种并联型AGNR结构，通过对其电导特性的计算与分析，发现随着条带数量的增加，其电导中心区域会有相应数量的电导峰增加，电导随费米势变化的开关变换频率更高；随着条带间间距的增大，其中心区域的矩形宽度逐渐减小，电导随费米势变化更加灵敏然后，提出了双材料异质栅GNRFET（graphene-nanoribbon field-effect transistors），通过对其输运特性的研究，发现双材料异质栅器件明显比单栅器件具有更好的亚阈区特性和更大的开关电流比，并且靠近源极的栅材料的功函数比靠近漏极的栅材料的功函数越大，其亚阈区特性越好，开关电流比也越大最后，提出了三材料异质栅GNRFET，通过对其输运特性的研究，结果表明：在以相同功函数差的不同金属材料作为栅极的情况下，三材料异质栅器件相对于双材料异质栅器件具有更好的亚阈区特性和更大的电流开关比