GaN纳米材料具有带隙宽、力学强度好、热导率高、物理和化学稳定性好、载流子迁移率高等优点，成为新一代化合物半导体材料的研究热点，可以广泛应用于蓝绿光二极管(LED)、激光二极管(LD)、紫外探测器和大功率器件;同时，GaN具有电子亲和势小的特性，GaN纳米线同时还具有长径比大的性质，是一种优异的场发射阴极备选材料。　　本论文研究了CVD法制备GaN纳米线的工艺条件，研究了氨化时间和氨气流量对纳米线生长形貌的影响。在氨气流量250sccm、生长时间15min条件下制备了绳型GaN纳米线;在氨气流量400sccm、生长时间15min条件下制备了GaN直纳米线。对2种不同形貌GaN纳米线进行了XRD、SEM、TEM测试。XRD结果表明，生成物为GaN六方铅锌矿结构，SEM结果表明，生成的纳米线直径为50纳米左右，长度达数微米，TEM结果表明，两种GaN纳米线均为单晶，绳型GaN纳米线沿(001)方向生长，直纳米线沿(101)方向生长。　　本论文用密度泛函理论计算了GaN纳米线的功函数。构建了截面为三角状的不同直径的GaN纳米线模型，用VASP计算了GaN纳米线的功函数，结果表明，不同直径的GaN纳米线，其功函数基本不变，为4.2eV，与块体GaN材料功函数的理论值4.1eV接近。对GaN纳米线进行场发射性能测试，结果表明，在电流发射密度为100μA/cm2时，绳型纳米线的开启电场为6.8V/μm，直纳米线的开启电场为8.4V/μm，它们的场发射性能比一般纳米线和其他文献报道的GaN纳米线的场发射性能要好，说明我们制备的绳型GaN纳米线和直GaN纳米线均具有优异的场发射性能。