以硒化铋（Bi2Se3）为代表的拓扑绝缘体（Topological insulators）是一种具有特殊电子状态的新型半导体材料,最近几年吸引了研究者的广泛关注。目前关于硒化铋材料的研究还主要集中在薄膜生长后的物理性质方面,如生长形状、载流子迁移率以及电子态等,而将薄膜材料应用于光电子器件的研究还处于发展阶段,也是目前的研究热点之一。本论文通过在不同目标衬底上生长了硒化铋薄膜,并制备出具有宽波段探测能力（可见光波段至中红外波段）的光电探测器。首先研究了硒化铋薄膜的可控制备与表征,然后测试并分析了硒化铋/硅异质结光电探测器的光电响应特性,最后研究了硒化铋及其复合结构光电器件的光电性能。主要研究内容有:1、硒化铋薄膜的制备与表征。通过管式炉气相沉积法生长了不同形状的硒化铋薄膜,并调控其气体通量、生长温度和硒化铋源质量来优化材料的成膜环境,从而获得质地均匀的硒化铋薄膜。再通过扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱仪（Raman Spectrometer）、X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、霍尔效应测试仪（Hall effect tester）等设备对硒化铋薄膜的表面形貌和结构进行了表征和简单分析。2、硒化铋/硅异质结光电探测器的制备与性能测试。在刻蚀完成的硅/二氧化硅窗口衬底上直接生长硒化铋薄膜,然后做成硒化铋/硅异质结光电探测器,并对器件在可见光波段到中红外波段的光电响应进行了测试。使用635nm的激光器,调整入射功率为150μW时,响应度和归一化探测率分别为31.13m A/W和5.81×1011Jones。使用1550nm的激光器,当入射功率为100m W时,响应度和归一化探测率分别为1.5×10-4m A/W和1.95×106Jones。使用2700nm的激光器,当入射功率为10m W时,响应度和归一化探测率分别为2.5×10-4m A/W和1.93×106Jones。结果表明,硒化铋/硅异质结探测器在可见光波段的光电响应效果最好,在近红外和中红外波段也有不错的光电响应,因此适合用作宽波段探测。3、最后制做了硒化铋及其复合结构光电探测器。其中制备的硒化铋/微金字塔硅复合结构光电探测器,在635nm波段下测试的响应度为45.5m A/W,归一化探测率约为7.67×1011Jones,比同等条件下的硒化铋/硅光电探测器的光电响应效果要好一些。结果表明:通过在硅基底表面利用湿法刻蚀工艺制作出金字塔微结构,形成复合结构的硅基底能有效增强光吸收,从而提高光电探测性能。