量子点发光二极管(Quantum Light-Emitting Diodes,QLED)因具有体积小,能耗低,显示效果好,易于加工等优点而受到人们的广泛关注。尽管QLED的发展十分迅猛,但是仍有很多问题需要解决。器件内载流子的传输和发光材料的性能是制约其性能提升的两个核心因素。本文主要从这两个关键问题着手,先探究了载流子的传输与器件性能的内在联系,之后又从发光材料的角度来提升了器件的性能。具体内容如下:1.对器件内部载流子的传输与复合机理进行了深入的研究。针对蓝光器件空穴注入困难而电子注入过剩这一问题,我们将4,4’,4’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和乙酰丙酮锆(ZrAcac)分别引入到高分子空穴传输层聚[9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺](TFB)和电子传输层氧化锌(ZnO)中。掺杂传输层的引入降低了空穴注入势垒并且能保持良好的传性能,提升了发光层内空穴的数量。同时在另一侧抑制了电子的传输,使得发光层内载流子的数量更平衡,提升了器件的亮度和效率。我们还对器件进行了光电子模拟,模拟结果也证明了引入掺杂传输层后发光层内载流子分布更加均匀,复合速率大大提升。我们所提出的方法简易可行且效果显著,具有较大的应用潜力。2.对原位生长的蓝光钙钛矿材料做出了研究与探索。提出了采用双二维阳离子解决目前准二维钙钛矿所存在的相分布难调控,结晶取向难控制等问题。我们通过吸收、荧光光谱和XRD等表征证明了双二维阳离子能够有效调节钙钛矿的相分布和结晶取向,进而使薄膜的光学和电学性能同时得到提升。基于此结果,我们制备了高性能的LED器件。