本论文的相关内容主要是依据国家重点实验室承担的国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(项目编号：2010CB327600)、国家自然科学基金项目(项目编号：61020106007和61077049)、教育部新世纪优秀人才支持计划项目(项目编号：NCET-08-0736)、高等学校学科创新引智计划(项目编号：B07005)展开的。近年来,半导体纳米线因为其独特的物理特性成为人们研究的热点,许多基于纳米线的电子和光电子器件如场效应管、激光器、探测器等纷纷问世,并展现出广阔的应用前景。异质结构是半导体器件的基础,基于这些异质结构已经实现了多种纳米光电子器件,几乎所有的半导体器件的新进展都与异质结相关。本文主要围绕了GaAs纳米线轴向异质结构进行了研究,主要研究内容以及取得的研究成果包括：1.综述了国内外半导体纳米线生长机制、测试方法和GaAs纳米线异质结构的相关研究。2.在GaAs(111)寸底上,使用低压金属有机化学气相沉淀(LP-MOCVD)技术,生长出了GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线双异质结构,探索了GaAs/InxGa1-xAs/GaAs双异质结中In组分对于纳米线形貌、晶体结构等的影响。实验结果表明：当In的组分升高到0.8的时候,大部分的纳米线出现了扭曲和团簇；由于Au-GaAs的界面能低于Au-InAs的界面能以及In元素更容易溶解入合金颗粒中,在InAs纳米线上可以成功外延生长GaAs纳米线,而在GaAs纳米线上不能外延生长InAs纳米线。3.在GaAs(111)衬底上生长出了直立的GaAs(111)和GaAs/InxGa1-xAs/InAs/GaAs(In组分渐变)纳米线异质结构,理论分析了纳米线轴向异质结构的临界半径,探讨了含有渐变缓冲层的纳米线的应变。结果表明：当插入渐变缓冲层以后,晶格常数呈现线性变化,能够极大的消除应变的影响,并且可以改善界面能对于异质外延生长的限制。