微型LED阵列器件作为一种固体的主动发光器件，具有工作电压低、发光效率高、响应速度快、性能稳定、工作温度范围宽等诸多优点。目前，微型LED阵列器件在装饰、医疗、微显示以及通讯网络中应用的可行性已被证实，而且在近年来快速发展的3G和IPv6网络技术中的应用前景将更加广阔.本文对以AlGaInP-LED外延片为基片的LED微显示集成阵列器件进行了理论及实验研究，主要工作包括：1、设计了微阵列器件的工艺流程，进行了LED微阵列器件隔离沟槽的制作及衬底减薄等实验研究。2、采用MEMS技术对LED微阵列器件上隔离沟槽进行填充。提出二次填充方案，并通过实验证明填充结果满足实验要求。3、通过建立组合膜的模型，将硅纳米颗粒按照fcc或hcp结构密堆积，间隙材料填充PI，并固化，理论上可以将发光单元每一发光点到达每个侧面以小于全反射角出射光的16.695%反射回窗口层。不仅避免了相邻发光单元之间的光学和电学串扰，而且有效降低了发光单元的出光效率损失。4、结合MEMS工艺对LED微阵列器件上电极进行模拟和制作。确定了通过腐蚀和剥离等方法制作欧姆接触电极的材料和工艺条件。